El número de portadores libres en un conductor es un factor que depende de la naturaleza de éste y de la temperatura. Si llamamos n a la concentración de electrones libres (electrones/m3) y p a la concentración de huecos (huecos/m3), el producto entre ambos es constante (ley de acción de masas) y vale:
n·p = ni 2
llamándose ni concentración intrínseca, número que depende de la naturaleza del cristal, y de la temperatura.
En una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos pentavalentes como el fósforo, arsénico o antimonio, el quinto electrón de la impureza se ioniza a muy bajas temperaturas proporcionando electrones libres en la red. Como consecuencia, el átomo de impureza se ioniza con carga positiva, constituyendo una carga fija en la red.
Un semiconductor dopado de esta manera se dice que es un semiconductor tipo n, por tener
portadores negativos como mayoritarios.
Átomo aceptor
En una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos trivalentes como el galio o indio, existirá un enlace deficitario en electrones que a muy bajas temperaturas es completado por electrones procedentes de otros enlaces, los cuales dejarán un "hueco". Dicho hueco es móvil y se comporta como una partícula real cargada positivamente. Como consecuencia, el átomo de impureza se ioniza con carga negativa (tiene un electrón de más), constituyendo una carga fija en la red.
Un semiconductor dopado de esta manera se dice que es un semiconductor tipo p, por tener portadores positivos(huecos) como mayoritarios.
Resistividad
La resistividad es igual a la inversa de la conductividad, y ésta, para un semiconductor, viene dada por,
s = e (p µp + n µn)
donde e es la carga del electrón, p y n son respectivamente las concentraciones de huecos y electrones, y µp y µn sus movilidades.Aderlis S. Marquez G.
EES
http://personales.upv.es/jquiles/prffi/indice.htm
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